据报道，高通 CEO 安蒙（Cristiano Amon）于2026 年 4 月 21 日抵达韩国，计划陆续与三星电子、SK 海力士高管会面。《韩经》消息显示，此行核心议题之一是与三星晶圆代工展开潜在合作。安蒙预计与三星代工总裁韩镇满等高层会谈，讨论由三星2nm 工艺（SF2） 生产高通下一代旗舰应用处理器骁龙 8 Elite 2。安蒙此前已释放与三星代工合作的信号。2026 年 1 月 CES 展上，他曾表示高通已就 2nm 芯片制造与三星启动磋商，且芯片设计已完成。若合作达成，高通最先进的芯片订单将时
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高通
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2nm代工骁龙 8 Elite 2，与 SK 海力士洽谈内存合作
SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
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LPDDR6 DRAM
在半导体行业迎来 “超级周期”、三星电子与 SK 海力士两大企业创下营收纪录的背景下，这两家韩国芯片龙头企业正大幅扩大应届生招聘规模。随着全球人工智能竞赛推动半导体需求持续攀升，各大企业新产线建设稳步推进，芯片行业的用工需求激增，为该领域求职者带来大量机会。三星电子率先布局据行业消息人士透露，三星电子及其旗下三星显示、三星电机、三星 SDI 等核心子公司，最快将于本月启动今年上半年的应届生公开招聘。为扩大半导体产能，三星电子正于京畿道平泽市和龙仁半导体产业集群兴建新晶圆厂，相关人才的储备工作迫在眉睫，公司
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1月最后一个交易日存储价格突然受到AI需求可能紧缩的影响出现暴跌，虽然这波行情可能属于短期震荡，但这还是为很多存储厂商亮丽的年报蒙上一层阴影
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SK 海力士正在美国设立 AI Co. 以扩大其在美业务。
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1 月 28 日消息，据韩联社报道，在今年围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4 供应的竞争让半导体行业持续升温之际，业内消息称，SK 海力士已拿下最大客户英伟达超过三分之二的订单量。消息称英伟达今年用于下一代 AI 平台“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，约三分之二已分配给 SK 海力士，拿下了接近整体 70% 的供货份额。这一数据相比此前市场预计 SK 海力士将供应英伟达 50% 以上 HBM4 的水平，明显有所提升。去年年底，市场调研机构 Counterpoint 预测，今年全球 HBM
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SK
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CES 2026机器人（Robotics）类创新荣誉产品（Honoree）CES 2026数字健康（Digital Health）类创新荣誉产品（Honoree）CES 2026运动健身（Sports & Fitness）类创新荣誉产品（Honoree） Dnsys Z1 是全球重量最轻的外骨骼设备，同时也是首款专为膝关节防护而研发的穿戴设备。该产品由人工智能技术驱动，可在三大核心场景为用户提供实时自适应助力：1.
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CES 2026
Dnsys Innovation
Dnsys Z1
外骨骼
穿戴设备
膝关节
- ChatGPT 开发商 OpenAI 将于 2026 年推出- AMD 正式宣布大规模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤：“三星将为 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士联盟面临挑战主导人工智能（AI）半导体市场的 NVIDIA 大本营出现了裂缝。开创AI时代的ChatGPT开发商OpenAI决定量产AMD的下一代AI加速器，该加速器被认为是NVIDIA的唯一竞争对手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4（第6代高带宽内存）。三星电子（005930）有观察称，英伟达将作为主要供
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OpenAI
AMD
三星
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AI芯片
Source: Getty image /Sefa ozel韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry日前公布了其用于电容器的多层厚金属间电介质（IMD）工艺，该工艺具有高击穿电压特性，这一特性不仅有助于提升半导体器件的安全性、可靠性与使用寿命，同时还能增强抗噪声能力。该工艺可支持堆叠多达三层金属间电介质，在金属—绝缘体—金属结构中，总厚度最高可达到18微米（μm）。这可提供高达19,000伏特的高击穿电压特性，并有效提升电容性能。预计该技术将用于制造数字隔离专用电容器，以及用于抑制电子电路中电容耦
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SK Keyfoundry
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电容工艺
3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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SK
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HBM3E 芯片
Source:Getty Images Plus/ Dilok Klaisataporn专注于自动驾驶技术研发的Aurora Innovation日前已在美国蒙大拿州博兹曼市启用了一座占地7.8万平方英尺的全新办公与测试中心。这一新设施位于蒙大拿州立大学的创新园区内，旨在进一步推动Aurora FirstLight激光雷达技术的研发与测试工作。在这一战略性投资布局之前，Aurora于2019年收购了位于博兹曼市的激光雷达公司Blackmore，加强了其在自动驾驶车辆所必需的激光雷达技术方面的专业实力。此次
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Aurora Innovation
激光雷达测试设施
1 月 2 日消息，韩媒 Business Korea 今天（1 月 2 日）发布博文，受全球电动汽车需求下滑影响，LG Energy Solution、三星 SDI 和 SK On 韩国三大电池企业的工厂利用率大幅下降，企业纷纷采取应对策略以应对市场挑战。LG Energy Solution 位于美国亚利桑那州的工厂透视图，图源：LG Energy Solution据
12 月 30 日行业报告，LG Energy Solution 今年第三季度平均工厂利用率为 60%，较去年同期的 73% 显著下
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电动汽车
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12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子
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10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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韩国最大电信运营商SK电信周三（8月21日）称，将与美国GPU云服务公司Lambda合作，于今年12月在首尔江南区开设一家人工智能（AI）数据中心，该设施将以英伟达先进的图形处理器（GPU）为基础。目前，双方已签署了人工智能云服务合作协议，将通过战略合作扩大GPU即服务（GPUaaS）业务，并奠定Lambda在韩国的立足点。Lambda成立于2012年，为寻求训练人工智能大模型的公司提供云、本地和咨询服务。目前Lambda的平台可以访问英伟达公司的大型GPU集群。所谓的GPUaaS服务，就是帮助企业客户通
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Source:Getty Images Plus/ structuresxx大陆集团日前与全球热解技术领导者Pyrum Innovations签订了一项长期采购协议，为其供应由报废轮胎制成的高质量回收炭黑（rCB）。此举标志着大陆集团在推动可持续材料在乘用车轮胎的应用方面迈出了重要一步。这也符合该公司到2030年将产品中可再生与回收材料占比提升至40%以上的目标相一致。大陆集团与Pyrum的此次合作建立在双方2022年签署的一项合作协议之上，旨在通过热解技术优化回收过程。大陆轮胎可持续发展轮胎部
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可持续衍生炭黑
7 月 25 日消息，SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气（F2）。SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3的 GWP 为 17200，而 F2为 0）。除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。
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Source: Zhihao/via Getty Images总部位于美国加州硅谷的Sakuu是一家专注于为电池制造行业提供商业化设备和技术的公司，该公司日前已与韩国电动汽车电池供应商SK On签订了一份联合开发协议。此次合作彰显了两家公司通过推动电池制造创新以解决当前行业挑战的坚定承诺，并为下一代解决方案的发展奠定了坚实基础。作为此次合作的一部分，两家企业将携手推进Sakuu干法制造工艺平台Kavian的工业化进程。Sakuu干法制造工艺平台Kavian有助于电池供应商转变其业务运营模式。该公司表示，使
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《科创板日报》17日讯，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽。
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混合键合技术
7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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IT之家 7 月 1 日消息，据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元（IT之家备注：当前分别约 263.8 / 158.28 亿元人民币）低息贷款，用于业务扩张。韩国产业银行由韩国政府全资控股，是韩国唯一的政策性金融机构，主要为韩国国家经济发展提供长期资金。韩国企划和财政部此前公布了“半导体生态系统综合支持计划”。作为该计划的一部分，韩国产业银行将向半导体企业发放 17 万亿韩元低息贷款，其中大企业可获得 0.8~1% 利率折让，而中小
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·结合并收入为12.4296万亿韩元，营业利润为2.886万亿韩元，净利润为1.917万亿韩元·第一季度收入创同期历史新高，营业利润创同期历史第二高·由于eSSD销量增加及价格上升，NAND闪存成功实现扭亏为盈·“凭借面向AI的存储器顶尖竞争力，将持续改善公司业绩”2024年4月25日，SK海力士发布截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告。公司2024财年第一季度结合并收入为12.4296万亿韩元，营业利润为2.886万亿韩元，净利润为1.917万亿韩元。2024财年第一季度营业利润率为2
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据韩联社报道，韩国SK创新旗下电池部门SK On可能会按照客户需求，从2026年开始大规模量产磷酸铁锂（LFP）电池。SK On首席执行官兼总裁Lee Seok-hee在2024年首尔电池储能展览会上表示：“公司内部已经完成了磷酸铁锂电池的自主研发，如果我们与客户完成协商，将从2026年开始实现量产。”Lee Seok-hee预计，通常用于中短续航里程电动汽车的磷酸铁锂电池的市场需求将迎来激增。Source: Getty Images分析观点深度解析尽管磷酸铁锂电池的能量密度较低，导致电动汽车的续航里程相
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磷酸铁锂电池
· 继HBM3，其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段· 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货，期待能实现最高性能的AI· “将维持用于AI的存储技术全球领先地位，并巩固业务竞争力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后，仅隔7个月取得的成果。SK海力士表示，“继HBM3，公司实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。将通过成功HBM3
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存储
AI
1 月 22 日消息，随着企业和消费者对人工智能（AI）应用兴趣的日益浓厚，对人工智能芯片的需求也在强势上涨。因担心人工智能芯片短缺，美国 AI 初创公司 OpenAI 正在讨论解决方案，促使以 OpenAI 为代表的 AI 研发企业开始考虑走上自己生产 AI 芯片的道路。根据多家外媒的报道，OpenAI 希望成立一家芯片制造公司，因此 OpenAI CEO 萨姆・阿尔特曼（Sam Altman）正在说服更多潜在投资者加入这一计划。韩国东亚日报称，阿尔特曼本周访问韩国首尔，期间可能同 SK 集团会长崔泰源
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OpenAI
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芯片
据英飞凌官网消息，近日，英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。据悉，SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。据了解，英飞凌首席采购官 Angelique van der Burg 表示：“对于英飞凌来说，供应链弹性意味着实施多供应商战略，并在逆境中蓬勃发展，创造新的增长机会并推
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晶圆
6 月 18 日消息，据 businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求据称，考虑到对人工智能 (AI) 半导体的需求增加，S 海力士正在考虑将 HBM 的产能翻倍的计划。业内消息称 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 对 HBM3E 样品的请求，并正在准备发货。HBM3E 是当前可用的最高规格 DRAM HBM3 的下一代，被誉为是第五代半导体产品。SK 海力士目前正致力于开发该产品
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